* Цены указаны в рублях включая НДС и действительны по предварительному заказу в соответствии с нормой упаковки
* Товары отпускаются только по предварительному заказу
Транзистор: IRGP4063DPBF (JSMSEMI)
Артикул: 133152Производитель: JSMSEMI
Цена: 237.19 р
Кол-во: 225 шт
Год: 2026
IRGP4063DPBF JSMSEMI IGBT транзистор, 650 В, 100 А, 2.6 мДж, TO-247
Технические характеристики:Параметр
Значение
Тип
IGBT
Максимальное напряжение КЭ (Vces), В
650
Максимальный ток коллектора (Ic), А
100
Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В
1,65
Пороговое напряжение ЗЭ (Vge(th)), В
5,3
Потери на переключение, мДж
2,6
Диапазон рабочих температур
-55…+175 °С
Заряд затвора, нКл
183
Транспортная упаковка: размер/кол-во
59*33*18/225
Вес брутто
8.98
Корпус
TO-247
Способ монтажа
Through Hole
Описание
IGBT 650 В, 50 А, Vce(sat) 1.65 В, TO-247
IRGP4063DPBF IGBT транзистор для сквозного монтажа в корпусе TO-247. Напряжение КЭ Vces 650 В. Ток коллектора Ic 100 А (при Tc=25C). Напряжение насыщения КЭ Vce(sat) 1.65 В (Ic=50 А, Tj=25C). Общие потери на переключение 2.6 мДж.
